تاریخ انتشار :دوشنبه ۲۶ بهمن ۹۴.::. ساعت : ۹:۳۵ ب.ظ
کدخبر : 15400:: بازدید159:: بامدیریت:فرهاد نظری

تحلیل و شبیه سازی ترانزیستور اثرمیدانی نانوسیم نیمه هادی-راشین آب بندپاشاکی

شبیه سازی ترانزیستور اثرمیدانی نانوسیم-بررسی نقش مذهب مجرمظ در تعیین مجازات

تحلیل و شبیه سازی ترانزیستور اثرمیدانی نانوسیم نیمه هادی با هدف بهبود کارایی با استفاده از الگوهای مختلف آلایش

در این پایان نامه به تحلیل برخی مشخصات ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم تونلی سیلیکنی جهت ارتقای کیفیت و بهبود کارایی آن پرداخته شده است. در ابتدای کار به مشاهده اثر تغییر دما در محدوده بین ۱۰۰ تا ۳۰۰ درجه کلوین که به صورت استرین روی ترانزیستور مورد نظر اثر می گذارد، روی برخی از مشخصات این ترانزیستور با قطر کانال ۲٫۵ نانومتر و ضخامت اکسید ۱ نانومتر پرداخته شده، سپس جهت بهبود کارایی و افزایش حساسیت سنسور، رفتار دمایی ترانزیستور با تغییر در سطح آلایش،تغییر در قطر کانال و تغییر در ضخامت اکسید مورد مطالعه قرار گرفته شده است. طبق نتایج بدست آمده از میان قطر های مختلف کانال، ضخامت های اکسید مختلف و سطوح مختلف آلایش، می بینیم که ترانزیستور در ولتاژ گیت-سورس ۰٫۶ ولت دارای بیشترین حساسیت دمایی جریان است، بنابراین با توجه به این نکته یک مدل مداری برای این ترانزیستور پیشنهاد داده ایم که حساسیت بالایی نسبت به سایر ولتاژ های بررسی شده دارد.

چکیده پایان نامه آقای راشین آب بندپاشاکی ازدانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی

منبع:سایت دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت

«مطالب مرتبط»

دیدگاه خود را به ما بگویید.